第376章 PMOS

其中铝都不用考虑掺杂扩散的问题,只是用于沉积。

某退休老头:真是太好玩儿了.jpg。

而NMOS和CMOS的难度,可就比PMOS大多了,PMOS别的不说,至少做逻辑集成电路没问题,而且,这玩意10μm的制程是能做C8008的,其实做更高的制程也没问题。

选定了PMOS,高振东很快就把工艺路线给确定下来了。

不要最后一步钝化,4次光刻,只到金属光刻完成为止。

至于为什么选这个,当然是因为简单了,而且他一开始是做比较粗的制程的,这个程度也就够了。

而且,少这一步,成本也会下降。

先把逻辑门电路拿出来,支撑住DJS-60D的生产,然后再去搞更好的。

先解决有没有,再解决好不好。

选定了这些,抄起书来,那就快了,高振东花了一个下午飞快的把书抄完,第二天一個电话打给了已经有点儿望眼欲穿的1274厂。

一个多小时过后,吕厂长和鲁总工带着人联袂而至,就等着这一天呢。

看着高振东给出的工艺设计指导文件,两人有点懵,这玩意比起原来的,怎么还变薄了?

先进技术,必定复杂,一旦复杂,那资料就会很厚,大家都这么想。

“高总工,这工艺是先一部分一部分的做,这里是前期我们要做的事情?”鲁总工问道。

高振东一头雾水,我什么时候说过一部分一部分做了:“没有啊,这里就是全部了。”

“全部?”两人大惊失色,这怎么可能?

高振东笑着把工艺的简单概况给他们解释了一遍,两人陷入了“我不懂,但我大受震撼”的状态之中。

高振东只好解释了一下:“PMOS技术虽然新一点,但是从工艺上来说是要简单一些的,最符合我们现在的情况。”

鲁总工大喜过望,对着双极型晶体管半导体那复杂的工艺抠掉了半脑袋头发的他,觉得这是今天听到的第一个好消息,也是最好的消息,高总工有才啊。

“高总工,你是说这个技术,只要这么几次光刻,几十步工序,就能完成双极型半导体要一百多步工序才能完成完成的事情?”

高振东笑道:“技术的发展其实本来就是这样的,先进不等于复杂,有的先进技术可以简单到我们难以想象。”

甚至看起来还超级土鳖,高振东心想。

对于高振东,他们两人还是很相信的,这位说的话,基本上还从来没有落空过。

“高总工,这太好了,我们需要做什么?”

高振东道:“我看现在厂里的情况,是有扩散炉的对吧?”

吕厂长点点头:“是的,这是我们基础生产设备之一,很多。”

“那最高的温控精度有多高?到得了正负1摄氏度不?”高振东问道,这个精度涉及到扩散掺杂效果。